Toshiba 2SK3936 N-Kanal Power MOSFET 500V 23A TO-3PN

Technische Produktbeschreibung (2SK3936):

N-Kanal Power MOSFET von Toshiba, Modell 2SK3936. Maximale Drain-Source-Spannung Vds(max): 500V. Maximaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 500uA. Drainstrom Id (T=25°C): 23A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.20 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3P. Gehäuse: TO-3PN (2-16C1B). RoHS-konform: ja. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Gate-Source-Schutz: ja. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 80 ns. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 45 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Impuls-Drainstrom Id(imp): 92A. Minimale Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th): 2V. Eingangskapazität C(in): 4250pF. Ausgangskapazität C(out): 420pF. Minimale Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr: 380 ns. Maximale Verlustleistung: 150W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Maximale Gate-Emitter-Spannung VGE(th): 4V. Temperatur: +150°C.