Toshiba 2SK3568 N-Kanal Leistungs-MOSFET 500V 12A TO-220F

Technische Produktbeschreibung (2SK3568):

N-Kanal Leistungs-MOSFET von Toshiba, Modell 2SK3568. Maximale Drain-Source-Spannung Vds(max): 500V. Maximaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 100uA. Drainstrom Id (T=25°C): 12A. Drainstrom Id (T=100°C): 12A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.4 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220F. Gehäuse: TO-220FP. RoHS-konform: ja. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteil (SMPS). Technologie: Feldeffekt (TT-MOSVI). Maximale Temperatur: +150°C. Gate-Source-Schutz: ja. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 170 ns. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 50 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Impuls-Drainstrom Id(imp): 48A. Gehäusemarkierung: K3568. Minimale Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th): 2V. Eingangskapazität C(in): 1500pF. Ausgangskapazität C(out): 180pF. Minimale Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr: 1200 ns. Maximale Verlustleistung: 40W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Temperatur: +150°C.