Toshiba 2SK2039 N-Kanal V-MOSFET, 900V, 5A, TO-3PN Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK2039):

Spannung Vds(max): 900V. Idss (max): 300uA. ID (T=25°C): 5A. ID (T=100°C): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 1,9 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3PN. Gehäuse: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: ja. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage auf Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeit. Technologie: V-MOS. Maximale Temperatur: +150°C. G-S Schutz: nein. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 15A. Vgs(th) min.: 1,5V. C(in): 690pF. C(oss): 120pF. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Pd (Verlustleistung, Max): 150W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3,5V.