Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TK6A60D

TK6A60D
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TK6A60D. C(in): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K6A60D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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C(in): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 6A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3562. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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