Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V - TK6A60D

N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V - TK6A60D
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N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V - TK6A60D. N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K6A60D. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: ja. Id(imp): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3562. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI)
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