STP6NK60Z

STP6NK60Z. C(in): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 445 ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 104W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 22:25.