STP60NF06L

STP60NF06L. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P60NF06L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Spec info: niedrige Gate-Ladung, VGS(th) 1...2,5V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.