STMicroelectronics STW18NM80 N-Kanal Power MOSFET 800V 17A TO-247

Technische Produktbeschreibung (STW18NM80):

Maximale Vds-Spannung: 800V. Maximaler Idss: 100nA. Id (T=25°C): 17A. Id (T=100°C): 10.71A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.25 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-247. Gehäuse: TO-247. RoHS: ja. Spezifikationsinfo: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltungskreise. Technologie: MDmesh PowerMOSFET. G-S-Schutz: nein. Minimaler Idss: 10nA. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 68A. Gehäusekennzeichnung: 18NM80. Minimaler Vgs(th): 3V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Maximale Verlustleistung: 190W. Verpackung: Kunststoffröhre. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Temperatur: +150°C. Verpackungseinheit: 30.