STMicroelectronics STP4NB80 N-Kanal PowerMESH MOSFET, 800V, 4A

Technische Produktbeschreibung (STP4NB80):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 800V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 50uA. Drainstrom Id (T=25°C): 4A. Drainstrom Id (T=100°C): 2A. Durchlasswiderstand Rds On: 3 Ohms. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hoher Strom, Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 12 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss (min): 1uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 14 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 16A. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 3V. Eingangskapazität C (in): 700pF. Ausgangskapazität C (out): 95pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 600 ns. Max. Verlustleistung: 100W. Drain-Source-Schutz: ja. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 5V