STMicroelectronics STP14NF12 N-Kanal STripFET II Leistungs-MOSFET, 120V, 14A, TO-220

Technische Produktbeschreibung (STP14NF12):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 120V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 10uA. Drainstrom Id (T=25°C): 14A. Drainstrom Id (T=100°C): 9A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220. Gehäuse: TO-220. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Eingangsladung. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 32 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss (min): 1uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 16 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 56A. Gehäusemarkierung: P14NF12. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 2V. Eingangskapazität C (in): 460pF. Ausgangskapazität C (out): 70pF. Max. Verlustleistung: 60W. Drain-Source-Schutz: ja. Gate-Source-Spannung Vgs: 20V. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 4V