STMicroelectronics STB12NM50N N-Kanal MDmesh Leistungs-MOSFET, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Technische Produktbeschreibung (STB12NM50N):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 550V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 100uA. Drainstrom Id (T=25°C): 11A. Drainstrom Id (T=100°C): 6.8A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): D2PAK (TO-263). Gehäuse: D2PAK (TO-263). RoHS: ja. Anzahl der Anschlüsse: 2. Montage/Installation: Oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hohe dv/dt, niedrige Gate-Kapazität. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 60 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss (min): 1uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 15 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 44A. Gehäusemarkierung: B12NM50N. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 2V. Eingangskapazität C (in): 940pF. Ausgangskapazität C (out): 100pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 340 ns. Max. Verlustleistung: 100W. Drain-Source-Schutz: ja. Gate-Source-Spannung Vgs: 25V. Temperatur: +150°C