FDD5614P

FDD5614P. RoHS: ja. C(in): 759pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD5614P. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.076 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.