Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

Standard- und Gleichrichterdioden

1193 Produkte in der Kategorie Standard- und Gleichrichterdioden verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel Samsung, Multicomp, Fairchild Semiconductor, Diodes Incorporated, Jgd Semiconductors, und 84 weiteren Herstellern

TS4148-RXG-REEL-REEL

Diode TS4148-RXG-REEL-REEL, SMD 1206, 75V, 0.15A. Gehäuse: SMD 1206. VRRM: 75V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.15A. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Switching. Du...

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TS4148CRZG

Diode TS4148CRZG, 063, 0.1A. Gehäuse: 063. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom [A]: 0.1A. Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 2A. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD...

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TSSW3U45

Diode TSSW3U45, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Anzahl der Termin...

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TSSW3U60

Diode TSSW3U60, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Anzahl der Termin...

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TVR06J

Diode TVR06J, 0.6A, 600V. Vorwärtsstrom (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium...

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U1DF

Diode U1DF...

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U1J

Diode U1J...

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UF108

Diode UF108, 1A, DO-41, DO-41, 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Mont...

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UF3002M

Diode UF3002M, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 100V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Halbleiterm...

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UF3004M

Diode UF3004M, 3A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 400V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Halbleiterm...

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UF3005M

Diode UF3005M, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 8.8x5.1mm ), 600V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Anzahl der Termina...

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UF4003

Diode UF4003, 1A, DO-41, DO-41, 200V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Mon...

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UF4004

Diode UF4004, DO-41, DO-204AC, 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Anzahl der Terminals: 2. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Eigenschaften des Halbleiters: ...

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UF4005

Diode UF4005, 1A, DO-41, DO-41, 600V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Mon...

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UF4006

Diode UF4006, 1A, DO-41, DO-41, 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Mon...

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UF4007

Diode UF4007, DO-41, 1A, DO-204AC, DO-41, 1A, 1A, 1000V. Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Durchschnittlicher gleichgeri...

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UF5404

Diode UF5404, DO-201, 3A, 3A, 150A, DO-201AD ( 9.1x5.2mm ), 400V. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Vorwärtsstrom [A]: 3A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt...

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UF5405

Diode UF5405, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.2x5.3mm ), 500V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Anzahl der Terminal...

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UF5408

Diode UF5408, DO-201, 800V, 3A, 3A, 3A, 150A, DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 800V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Vorwärtsstr...

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UG2D

Diode UG2D, 2A, 80A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Betrie...

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UG3DB

Diode UG3DB...

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US1G

Diode US1G, SMA. Gehäuse: SMA. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Eigenschaften des Halbleiters: Ultraschnelles Schalten. Halbleiterstruktur: Diode. Leckstrom: 5uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): ...

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US1M

Diode US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C....

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