Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V

Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V

Menge
Stückpreis
10-19
0.0390€
20-99
0.0300€
100-499
0.0261€
500-999
0.0230€
1000+
0.0193€
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Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V. Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Konditionierung: Ammo Pack. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.1V. Max Rückspannung: 200V. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pulsstrom max.: 30A. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Schwellenspannung: 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Strom fahren: 1A. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 14/12/2025, 01:04

Technische Dokumentation (PDF)
1N4003
26 Parameter
Gehäuse
DO-41
Vorwärtsstrom (AV)
1A
IFSM
30A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-41 ( DO-204AL )
VRRM
200V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Cj
15pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung Vf (min)
1.1V
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Konditionierung
Ammo Pack
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.1V
Max Rückspannung
200V
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pulsstrom max.
30A
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.1V
Schwellenspannung
1.1V
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Strom fahren
1A
Originalprodukt vom Hersteller
Lge Technology
Mindestmenge
10

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