Sanken 2SK3199 N-Kanal MOSFET, 500V, 5A, 1.2 Ohm, TO220F-3L Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK3199):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 500V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 100uA. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 5A. Durchlasswiderstand Rds(On): 1.2 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO220F-3L. Gehäuse: TO-220FP. RoHS-konform: Ja. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET. Technologie: V-MOS (F). Äquivalenzen: FS5KM-10-AW. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 60 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss(min): 0.1uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 18 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Puls-Drainstrom Id(imp): 20A. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 2V. Eingangskapazität C(in): 650pF. Ausgangskapazität C(out): 250pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 2us. Maximale Verlustleistung: 30W. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 4V.