Samsung N-Kanal MOSFET 0505-001247, 200V 2.7A TO-251AA

Technische Produktbeschreibung (0505-001247):

Spannung Vds(max): 200V. Idss (max): 2.7A. Id (T=25°C): 2.7A. Id (T=100°C): 1.4A. Durchgangswiderstand Rds On: 1.5 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-251AA (I-PAK). Gehäuse: TO-251 (I-Pak). RoHS: ja. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: MOS-N-FET. Menge pro Gehäuse: 1