RJP30E4

RJP30E4. C(in): 85pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 250A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 360V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.