PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX451. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kosten): 30pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.17V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX653. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.5A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZTX758. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX690

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Ic(Impuls): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,95 V