Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY

P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY
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P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY. P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 5.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 01:25.

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P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: FDS9435A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 528pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V
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