P-Kanal-Transistor IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

P-Kanal-Transistor IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.91€
5-24
0.79€
25-49
0.69€
50-99
0.61€
100+
0.49€
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P-Kanal-Transistor IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 19nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 570pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: -60V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 35A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Kosten): 360pF. Leistung: 42W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -8.8A, -5.6A. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 0.28 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11

Technische Dokumentation (PDF)
IRFU9024
37 Parameter
Gehäuse
TO-251 ( I-Pak )
ID (T=25°C)
8.8A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-251AA ( I-PAK )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
19nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
570pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Drain-Source-Spannung
-60V
Einschaltwiderstand Rds On
0.28 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±20V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
5.6A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
35A
Kanaltyp
P
Konditionierung
tubus
Kosten)
360pF
Leistung
42W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
42W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-8.8A, -5.6A
Td(off)
15 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Widerstand auf den Staat
0.28 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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