P-Kanal-Transistor IRFR9024, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V

P-Kanal-Transistor IRFR9024, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.87€
5-24
0.76€
25-49
0.69€
50-74
0.64€
75+
0.56€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 165

P-Kanal-Transistor IRFR9024, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 570pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 35A. Kanaltyp: P. Kosten): 360pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100us. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR9024
28 Parameter
ID (T=25°C)
8.8A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
570pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Einschaltwiderstand Rds On
0.28 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
5.6A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
35A
Kanaltyp
P
Kosten)
360pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
42W
RoHS
ja
Td(off)
15 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100us
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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