Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 9us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 9us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 9us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 9us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C

CTR: 100...400 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Funktion: GaAs-IR- und Fototransistor. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P185GB. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 9us. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): 11-4M1S. Tr: 5us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V

CTR: 100...400 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Funktion: GaAs-IR- und Fototransistor. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P185GB. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 9us. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): 11-4M1S. Tr: 5us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Fotodiodenzeile. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.2ms. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

Hinweis: MOS GATE DRIVER. Hinweis: 2.5 kV. Ausgang: Logikebene

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optocoppler für die digitale Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 20V. Nenneingangsstrom (mA): 1.6mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 35 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 20 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Diode IF: 20mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1.6...1.8V. Frequenz: max. Funktion: Wechselrichter für Klimaanlage, IGBT und Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TLP250F. Ausgang: Logikebene. Ausgangsstrom (max): min. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Spec info: GaAIAs Ired & Photo-IC. Teilung: 7.85...8.8mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 20...30V. VRRM: 2500V

Diode IF: 20mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 40mW. Diodenschwellenspannung: 1.6...1.8V. Frequenz: max. Funktion: Wechselrichter für Klimaanlage, IGBT und Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TLP250H (F). Ausgang: Logikebene. Ausgangsstrom (max): 2.5A. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 260mW. RoHS: ja. Spec info: GaAIAs Ired & Photo-IC. Teilung: 7.85...8.8mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 35V. VRRM: 3750V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optokoppler, MOSFET/IGBT-Treiber. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Komplementärtransistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.5us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Funktion: IGBT & MOS GATE Driver. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TLP251F. Ausgang: Logikebene. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 10...12mm. RoHS: ja. Spec info: GaAIAs Ired & Photo-IC. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VRRM: 2500V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Optokoppler, VAC-Eingang. Anzahl der Kreise: 4. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 4. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 4. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: optotriakisches Schalten durch Nulldurchgangserkennung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 400V. Nenneingangsstrom (mA): 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Ausgang: Triac-Ausgang. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Elektrische Isolierung: 7500V. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: 600V Ift 10mA

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: optotriakisches Schalten durch Nulldurchgangserkennung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: optotriakisches Schalten durch Nulldurchgangserkennung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1...1.3V. Funktion: Programmierbare Steuerungen, AC/DC-Eingangsmodul. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: GaAs Ired & Photo - Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8 (11-10C4). Tr: 2us. Betriebstemperatur: -25...+85°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 55V. VECO: 7V. Vrms: 2500VAC

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 4. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 50mA. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 50mA. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP-8. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Vrms: 2500V