Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TLP504A

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TLP504A. CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1...1.3V. Funktion: Programmierbare Steuerungen, AC/DC-Eingangsmodul. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: GaAs Ired & Photo - Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8 (11-10C4). Tr: 2us. Betriebstemperatur: -25...+85°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 55V. VECO: 7V. Vrms: 2500VAC. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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RoHS: ja. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 2.54mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 4.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Tr: 3us. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V
CNY74-2H
RoHS: ja. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 2.54mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 4.7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Tr: 3us. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V
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