TLP185-GB-SE-T

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.50€	0.60€
10 - 24	0.48€	0.57€
25 - 49	0.46€	0.55€
50 - 99	0.45€	0.54€
100 - 128	0.40€	0.48€

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TLP185-GB-SE-T. CTR: 100...400 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Funktion: GaAs-IR- und Fototransistor. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P185GB. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 9us. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): 11-4M1S. Tr: 5us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 13:25.

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