Optokoppler

CTR: 200...1000 %. Diode IF: 80mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 120W. Diodenschwellenspannung: 1.17V. Kollektorstrom: 160mA. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Anzahl der Terminals: 16. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 160mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 100us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-16. Tr: 100us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vrms: 5 kV

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. CTR: 130...260 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 500mA. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 30mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PS2561A-1. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 5us. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 500mA. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 30mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PS2561A-1. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. Abmessungen: 6.5x4.6mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 7us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 5us. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. CTR: 130...260 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 500mA. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 30mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PS2561AL1-1. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 7us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 5us. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 5V. Vrms: 5 kV

Typ: Transistorausgang. Gehäuse: SOP4. Output CurrentmA: 30mA. Anzahl der Kanäle: 1. Stromübertragungsverhältnis CTR: 50-300%. Isolationsspannung: 3750V. Serie: NEPOC

CTR: 80...600 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 60mW. Diodenschwellenspannung: 1.1V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7mm. Pd (Verlustleistung, max): 120mW. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung (tr=3us TYP, tf=5us TYP). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 5us. Gehäuse: SO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-4. Tr: 3us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vrms: 2500V

CTR: 50...400 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 0.5A. Diodenleistung: 80mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 30mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 16. Teilung: 7mm. Pd (Verlustleistung, max): 120mW. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung (tr=5us TYP, tf=7us TYP). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 7us. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16. Tr: 5us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vrms: 2500V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optokoppler, Signalschalter. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: FET, Schalter. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 60VAC/DC. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2ms. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.5ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: Optokoppler, Signalschalter. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: MOSFET. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 60VAC/DC. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2ms. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.5ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: Leistungsumschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: MOSFET. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 60V. Nenneingangsstrom (mA): 5..25mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 2ms. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.5ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Typ: Photovoltaik. Gehäuse: DIP8. Output CurrentmA: n/a. Anzahl der Kanäle: 2. Stromübertragungsverhältnis CTR: n/a. Isolationsspannung: 2500V. Information: n/a. Serie: n/a

RoHS: ja. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 100..200 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 100V

CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Produktionsdatum: 2014/42. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10.03mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Grenzfrequenz 250kHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 14us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 3us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VRRM: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 2.3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 40...80 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Grenzfrequenz 250kHz. Teilung: 7.92mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 11us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 3us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VRRM: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4 400 mil. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Rate: 19 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 25V. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.8us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.8us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Diode IF: 25mA. Produktionsdatum: Optokoppler. Ausgang: Transistorausgang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 14us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Tr: 1. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): NPN-Transistor. VRRM: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 40 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 14us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 63 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 14us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SFH6156-3. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10.03mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Grenzfrequenz 250kHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 14us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 3us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 14us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Hinweis: VDE, UL, cUL, BSI, FIMKO. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SFH6156-3. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10.03mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Grenzfrequenz 250kHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 14us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 3us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

CTR: 40...80 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vrms: 5300V

CTR: 63...125 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A (Tp >10us). Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25...1.65V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100m A (Tp >10ms). Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vrms: 5300V