Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 63 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 14us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SFH6156-3. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10.03mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Grenzfrequenz 250kHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 14us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 3us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 14us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Hinweis: VDE, UL, cUL, BSI, FIMKO. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SFH6156-3. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10.03mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Grenzfrequenz 250kHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 14us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 3us. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

CTR: 40...80 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vrms: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 63 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 23us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.25...1.65V

Hinweis: CRT 100-200%. Hinweis: Vrms 5.3kV. Hinweis: Vceo=70V. Ausgang: Transistorausgang. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V

CTR: 63...125%. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vrms: 5300V

Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 63 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4.2us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 23us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C. Hinweis: CRT 63-125%. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.36mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4 400 mil (option 6). Vrms: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4.2us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 23us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 160 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4.2us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 23us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +110°C

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.1V. Hinweis: VDE, UL, cUL, BSI, FIMKO. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SFH6156-3. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10.03mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 5us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 3.5us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 160 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5.5us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optokoppler, VAC-Eingang. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 63 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optokoppler, VAC-Eingang. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optocoppler für die digitale Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Rate: 19 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 25V. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.8us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.8us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOP16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Quad-Optokoppler, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Kollektorstrom: 160...2000mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SFH9206. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SMD 6p

Hinweis: CTR 40-80%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6

Hinweis: CTR 40-80%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6

Hinweis: CTR 63-125%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Hinweis: CTR 63-125%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Hinweis: CTR 100-200%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Hinweis: CTR 100-200%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

CTR: > 40%. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. FC: 110kHz. Funktion: Netzteile für Schaltmodus. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 90V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V