Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: optotriakisches Schalten durch Nulldurchgangserkennung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 7.5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Diode IF: 50mA. Diodenleistung: 120mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Funktion: Nulldurchgangserkennung. Hinweis: 600V It<5mA. Es ist M: 1A. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VDRM: 600V. VRRM: 5 kV

Diode IF: 50mA. Diodenleistung: 120mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Funktion: Nulldurchgangserkennung. Hinweis: 600V It<5mA. Es ist M: 1A. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VDRM: 600V. VRRM: 5000V

Funktion: Optokoppler mit Triac-Ausgang und Nulldurchgangserkennung. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VRRM: 5000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: optotriakisches Schalten durch Nulldurchgangserkennung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 7.5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 800V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

CTR: 50...80 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 2.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, keine Basisverbindung. Kollektorstrom: 50mA. Hinweis: switching ton 3us. Hinweis: switching toff 2.3us. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 2us. Gehäuse: DIP. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. VECO: 7V. VRRM: 5300V

CTR: 73-117%. Anzahl der Terminals: 6. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6

Hinweis: 50-150%

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: Standard-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 10us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1 A (PW=100us, 120pps). Diodenleistung: 90mW. Diodenschwellenspannung: 1.05V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, zweikanalig. Kollektorstrom: 150mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D207. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 4.7us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP SMD-8. Tr: 3.2us. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. VECO: 7V. VRRM: 3750V

Hinweis: CTR 15%. Hinweis: Organisation der Anschlüsse (Abstand) 2,54 x 10,1 mm. Hinweis: 14x5x10mm

CTR: 50...400 %. Ausgang: Transistorausgang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V

CTR: 100...250 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Äquivalente: PC123Y22FZ0F. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 6V. Vrms: 5000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optocoppler für die digitale Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 20...400%. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optokoppler, VAC-Eingang. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 20 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 600 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 35V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 300us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 250us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S357. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.3mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 10.03mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 3us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 3.75 kV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optokoppler, VAC-Eingang. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 20 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: Optotriac. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 7mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 100us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: Optotriac. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 50us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: Optocoppler für die digitale Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 15V. Nenneingangsstrom (mA): 4mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.5us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

CTR: 50%. Diode IF: 25mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.7V. Kollektorstrom: 8mA. Ausgang: Transistorausgang. Ausgangsstrom (max): 8mA. Maximale Ausgangsspannung: 20V. Anzahl der Terminals: 5. Teilung: 4.4mm. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): S05. Betriebstemperatur: -55...+85°C. VCC: 0.5...30V. VRRM: 3.75 kV

CTR: >1000 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 150mA. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 20us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 100us. Betriebstemperatur: -25...+100°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vrms: 5 kV

CTR: 130...260 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Vceo 80V. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V