Optokoppler

CTR: 100...250 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Äquivalente: PC123Y22FZ0F. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 6V. Vrms: 5000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optocoppler für die digitale Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 20...400%. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optokoppler, VAC-Eingang. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 20 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Typ: Darlington Ausgabe. Gehäuse: MFP4. Output CurrentmA: 50mA. Anzahl der Kanäle: 1. Stromübertragungsverhältnis CTR: 600%. Isolationsspannung: 3750V. Information: n/a. Serie: n/a

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Rate: 600 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 35V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 300us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 250us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S357. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.3mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 10.03mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 3us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 3.75 kV

Typ: n/a. Gehäuse: n/a. Output CurrentmA: n/a. Anzahl der Kanäle: n/a. Stromübertragungsverhältnis CTR: n/a. Isolationsspannung: n/a. Information: n/a. Serie: n/a

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Optokoppler, VAC-Eingang. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 20 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: Optotriac. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 7mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 100us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: Optotriac. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 50us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Typ: Digital. Gehäuse: MFP5. Output CurrentmA: 50mA. Anzahl der Kanäle: 1. Isolationsspannung: 3750V. Information: n/a. Serie: n/a

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Optokopplertyp: Optocoppler für die digitale Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 15V. Nenneingangsstrom (mA): 4mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 0.5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 0.5us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

CTR: 50%. Diode IF: 25mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.7V. Kollektorstrom: 8mA. Ausgang: Transistorausgang. Ausgangsstrom (max): 8mA. Maximale Ausgangsspannung: 20V. Anzahl der Terminals: 5. Teilung: 4.4mm. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): S05. Betriebstemperatur: -55...+85°C. VCC: 0.5...30V. VRRM: 3.75 kV

CTR: >1000 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 150mA. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 20us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 100us. Betriebstemperatur: -25...+100°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vrms: 5 kV

CTR: 130...260 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: Vceo 80V. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V

CTR: 80...160 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Kollektorstrom: 30mA. Hinweis: Vceo 35V. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PC817A. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 4us. Betriebstemperatur: -30...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler, AC-Eingang. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 20 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler, AC-Eingang. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Antiparallele Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 20 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 80V. Nenneingangsstrom (mA): 1mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...100 %. Hinweis: Vceo 35V. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP-8. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Standard-Optokoppler, Doppelt. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 50..600 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 35V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 18us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 18us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Standard-Optokoppler, Doppelt. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 50..400 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 35V. Nenneingangsstrom (mA): 20mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 15us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Typ: Optotriac. Gehäuse: DIP8. Output CurrentmA: 600mA. Anzahl der Kanäle: 1. Stromübertragungsverhältnis CTR: n/a. Isolationsspannung: 4000V. Information: n/a. Serie: n/a

CTR: 200...1000 %. Diode IF: 80mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 150mW. Diodenschwellenspannung: 1.17V. Kollektorstrom: 200mA. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 100us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 100us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vrms: 5 kV