Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 158 series. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.35V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.44mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Funktion: Quad-Operationsverstärker. Produktionsdatum: 201506. Hinweis: 36V 20mA. Hinweis: OP-IC. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Spec info: Operationsverstärker. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Spannungskomparator. Hinweis: OP/KOP-IC. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: programmierbarer Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hochleistungsfähiges HI-FI-Audio. Hinweis: High-Fidelity-Audio-Operationsverstärker. Äquivalente: LM4562MAX/NOPB. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 100 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2000V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 7.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220/5. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Stromverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 5.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 18mA. Mindestversorgungsspannung (V): +16V. Maximale Versorgungsspannung (V): +60V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 235 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1300V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 7.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4100V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 9.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4100V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 9.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit hohem Ausgangsstrom. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 16 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 18V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 21 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Anwendungen: Audio. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Äquivalente: NE5532. Gehäuse: SO-8

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: LOW INPUT. Äquivalente: LM833D. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker für Audioanwendungen. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 15 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Dualer rauscharmer Operationsverstärker für Audioanwendungen. Hinweis: niedrige Eingangsoffsetspannung 0,3 mV. Hinweis: High Gain Bandwidth Product 15MHz. Äquivalente: LM833NG. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Operationsverstärker. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Versorgungsspannung: 36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker für Audioanwendungen. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 15 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: geringer Verbrauch, extrem niedriger Eingangsstrom. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.35mV. Stromaufnahme [mA]: 0.45mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 11mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit Doppelmacht. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 15V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.057mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C