Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 11mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 15V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.057mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 3.4mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 95kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.5V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 8mV. Stromaufnahme [mA]: 3.2uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 50kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 15V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2.7mV. Stromaufnahme [mA]: 8uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.35mV. Stromaufnahme [mA]: 1.8mA. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.54V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.35mV. Stromaufnahme [mA]: 1.9mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang

Funktion: Operationsverstärker. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Anzahl der Terminals: 14. Hinweis: Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang

Funktion: Operationsverstärker. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Stromversorgung: 3...15V. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.35mV. Stromaufnahme [mA]: 3.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Anzahl der Terminals: 14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.35mV. Stromaufnahme [mA]: 3.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.35mV. Stromaufnahme [mA]: 3.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Funktion: Operationsverstärker. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Anzahl der Terminals: 14. Hinweis: Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.35mV. Stromaufnahme [mA]: 3.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +15.5V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: CLASS AB, THD+N--0.00003% (RL=600ohm - 2K). Hinweis: Hochleistungs-High-Fidelity-Audio-Operationsverstärker

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-99. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-99. VCC: ±2.5...±17V. Hinweis: CLASS AB, THD+N--0.00003% (RL=600ohm - 2K). Hinweis: Duale hohe Leistung, hohe Wiedergabetreue

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: CLASS AB, THD+N--0.00003% (RL=600ohm - 2K). Hinweis: Duale hohe Leistung, hohe Wiedergabetreue

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: Dualer Operationsverstärker. Spec info: CLASS AB, THD+N--0.00003% (RL=600ohm - 2K)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 120 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1800V/µs. Eingangs-Offsetspannung max (V): 35mV. Stromaufnahme [mA]: 17.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: OP-IC. Hinweis: Ultraschall-Vorverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.5GHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 350V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.95mV. Stromaufnahme [mA]: 80mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V