Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

Operationsverstärker

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LM124D

LM124D

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP-IC. Hinweis: Serie--124. Anzahl der Terminals: 14. RoHS...
LM124D
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP-IC. Hinweis: Serie--124. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14
LM124D
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP-IC. Hinweis: Serie--124. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14
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LM13700M

LM13700M

Funktion: Operationsverstärker. Äquivalente: LM13700MX/NOPB. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. M...
LM13700M
Funktion: Operationsverstärker. Äquivalente: LM13700MX/NOPB. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
LM13700M
Funktion: Operationsverstärker. Äquivalente: LM13700MX/NOPB. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
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LM13700MX-NOPB

LM13700MX-NOPB

Funktion: Transkonduktanzverstärker. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-16...
LM13700MX-NOPB
Funktion: Transkonduktanzverstärker. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-16
LM13700MX-NOPB
Funktion: Transkonduktanzverstärker. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-16
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LM13700N

LM13700N

Funktion: Operationsverstärker mit doppelter Transkonduktanz. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. M...
LM13700N
Funktion: Operationsverstärker mit doppelter Transkonduktanz. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-16. Spec info: Operationsverstärker
LM13700N
Funktion: Operationsverstärker mit doppelter Transkonduktanz. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-16. Spec info: Operationsverstärker
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LM224D

LM224D

Funktion: Quad-Operationsverstärker. Hinweis: Serie--124. Hinweis: Hi-temp.. Anzahl der Terminals: ...
LM224D
Funktion: Quad-Operationsverstärker. Hinweis: Serie--124. Hinweis: Hi-temp.. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -25...+85°C. Spec info: Wide gain bandwidth 1.3MHz
LM224D
Funktion: Quad-Operationsverstärker. Hinweis: Serie--124. Hinweis: Hi-temp.. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -25...+85°C. Spec info: Wide gain bandwidth 1.3MHz
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LM224DR

LM224DR

Gehäuse: SO-14...
LM224DR
Gehäuse: SO-14
LM224DR
Gehäuse: SO-14
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LM224N

LM224N

Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V):...
LM224N
Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Gehäuse: DIP-14. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Serie: Serie--124. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -25...+85°C
LM224N
Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Gehäuse: DIP-14. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Serie: Serie--124. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -25...+85°C
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LM224PT

LM224PT

Gehäuse: TSSOP-14...
LM224PT
Gehäuse: TSSOP-14
LM224PT
Gehäuse: TSSOP-14
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LM248D

LM248D

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberfläc...
LM248D
Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: LM148. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14
LM248D
Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: LM148. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14
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LM248N

LM248N

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfigur...
LM248N
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja
LM248N
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja
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LM258ADGKR

LM258ADGKR

Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Betriebstemperatur: -25°C...+85°C...
LM258ADGKR
Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Betriebstemperatur: -25°C...+85°C. Gehäuse: VSSOP-8
LM258ADGKR
Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Betriebstemperatur: -25°C...+85°C. Gehäuse: VSSOP-8
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LM258ADT

LM258ADT

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
LM258ADT
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
LM258ADT
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
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LM258D

LM258D

Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Dualer Operationsverstärker mit geringer Leistung....
LM258D
Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Dualer Operationsverstärker mit geringer Leistung. Äquivalente: LM258DT, LM258DG, LM258DR, LM258DR2G. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C
LM258D
Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Dualer Operationsverstärker mit geringer Leistung. Äquivalente: LM258DT, LM258DG, LM258DR, LM258DR2G. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C
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LM258D-STM

LM258D-STM

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
LM258D-STM
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
LM258D-STM
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
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LM258DR

LM258DR

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
LM258DR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
LM258DR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
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LM258DT

LM258DT

Geringe Leistung: ja. Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C. Gehäuse: SO-8...
LM258DT
Geringe Leistung: ja. Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C. Gehäuse: SO-8
LM258DT
Geringe Leistung: ja. Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C. Gehäuse: SO-8
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LM258N

LM258N

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
LM258N
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
LM258N
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
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LM258P

LM258P

Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-O...
LM258P
Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Funktion: Dualer Operationsverstärker. Äquivalente: LM258N, LM258NG. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C
LM258P
Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Funktion: Dualer Operationsverstärker. Äquivalente: LM258N, LM258NG. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C
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LM2900N

LM2900N

RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenb...
LM2900N
RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Hinweis: 36V 20mA. Hinweis: OP-IC. Anzahl der Terminals: 14
LM2900N
RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Hinweis: 36V 20mA. Hinweis: OP-IC. Anzahl der Terminals: 14
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LM2902DR

LM2902DR

Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14. Komponentenfamilie: Operationsverstärker...
LM2902DR
Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14. Komponentenfamilie: Operationsverstärker
LM2902DR
Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14. Komponentenfamilie: Operationsverstärker
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LM2902DRG4

LM2902DRG4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Ko...
LM2902DRG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
LM2902DRG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
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LM2902M

LM2902M

Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14...
LM2902M
Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14
LM2902M
Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14
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LM2904DRG4

LM2904DRG4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
LM2904DRG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V
LM2904DRG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V
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LM2904DT

LM2904DT

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
LM2904DT
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V
LM2904DT
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V
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LM2904XS8G-TR

LM2904XS8G-TR

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
LM2904XS8G-TR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.35V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.44mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
LM2904XS8G-TR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.35V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.44mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V
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