Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 16V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 16V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 13 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 75V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8/110 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.18mV. Stromaufnahme [mA]: 8.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, extrem rauscharm. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 240 MHz. Stromaufnahme [mA]: 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Differenzausgang. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 420V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 7.7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +24V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 130 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 50V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 80 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 30V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 0.75mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringer Leistung. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 80 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 80V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 3.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringer Leistung. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +24V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 350 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 365V/µs. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 160 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 200V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 11mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 160 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 200V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 11mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 300 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1400V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 13.9mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 300 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 650V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 6.8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +8V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: schneller Operationsverstärker, FastFET

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 145 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 180V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 6.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +24V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 145 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 180V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 6.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +24V

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: Dualer schneller Operationsverstärker, FastFET

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: High-Speed. Hinweis: 35MHz Bandwidth (0.1dB, G= +2)

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: High-Speed. Hinweis: 50MHz Unity Gain Bandwidth

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: High-Speed. Hinweis: 50MHz Unity Gain Bandwidth

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: High-Speed. Hinweis: 55MHz 0.1dB Bandwidth (Gain= +2)

Konditionierung: Kunststoffrohr. Diodenleistung: 1.6W. Funktion: Operationsverstärker. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AD820AN. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: ±18V. Hinweis: Single-supply capability from 5V to 30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: symmetrische Stromversorgungsfähigkeit von +/-2,5 V bis +/-15 V. Spec info: Unity Gain Frequency 1.8MHz