Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.13 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.172mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 12mV. Stromaufnahme [mA]: 0.048mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 12mV. Stromaufnahme [mA]: 0.048mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.6A. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.6A. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.187 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.75mV. Stromaufnahme [mA]: 0.125mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +8V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.67 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +8V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.55mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.55mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.55mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.55mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: High Slew Rate...2.4V/us. Hinweis: Rail-to-Rail-Ausgang. Äquivalente: TLV272IDR. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 2.7...16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Funktion: Operationsverstärker. Produktionsdatum: 2014/19. Hinweis: High Slew Rate...2.4V/us. Hinweis: Rail-to-Rail-Ausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 2.7...16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 3.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Funktion: Operationsverstärker. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Hinweis: Hi-bias.. Anzahl der Terminals: 14

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.1mV. Stromaufnahme [mA]: 0.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 800kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, speziell. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 5...40V. Versorgungsspannung: ±22V. Gehäuse: SO-8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker

Gehäuse: SO-8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker