Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.4V/µs. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 0.9mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Nulldrift. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +55V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer Operationsverstärker, driftfrei. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.4V/µs. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 1.8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +55V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer Operationsverstärker, driftfrei. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.003mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.2V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.4V/µs. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.008mV. Stromaufnahme [mA]: 0.9mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, sehr niedriger Eingangsstrom. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Funktion: 1-GHz-FastFET-Operationsverstärker. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4817-1ARDZ. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: LFCSP16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1GHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 870V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: EL2020 Verbesserte zweite Version

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: LFCSP32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Schaltungstyp: Logarithmischer Verstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.025MHz. Stromaufnahme [mA]: 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Dualer Operationsverstärker, „hohe Anstiegsgeschwindigkeit“. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C. VCC: ±18V. Spec info: Gain bandwidth product 10MHz

Funktion: BiMOS-Operationsverstärker mit MOSFET-Eingang/CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 15 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 30V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Gehäuse: DIP-8. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 4.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 9V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Vio. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Technologie: MOSFET-Eingang – bipolarer Ausgang (BiMOS). Gehäuse: DIP-8

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Vio. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 4.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 9V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 4.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 9V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 12mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

Funktion: Operationsverstärker

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 150 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 800V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 21mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Maximale Versorgungsspannung (V): +14V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 125 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 700/400V/us. Stromaufnahme [mA]: 16mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Maximale Versorgungsspannung (V): +14V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 15.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, isoliert. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.044 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.016V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 0.015mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.48 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.16V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V