NPN-Transistor NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

NPN-Transistor NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
7.48€
5-14
6.57€
15-29
5.94€
30-59
5.38€
60+
4.71€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 30

NPN-Transistor NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 9pF. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Kosten): 6pF. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Produktionsdatum: 201452 201512. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW1302. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Transistortyp: NPN. VCBO: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:29

Technische Dokumentation (PDF)
NJW3281
27 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
C(in)
9pF
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
Audio-Leistungsverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Kosten)
6pF
Maximaler hFE-Gewinn
150
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
45
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Produktionsdatum
201452 201512
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) NJW1302
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Transistortyp
NPN
VCBO
250V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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