NPN-Transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

NPN-Transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Menge
Stückpreis
1-4
4.93€
5-14
4.31€
15-29
3.89€
30-59
3.60€
60+
3.20€
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NPN-Transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 25A. Kosten): 2.8pF. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Produktionsdatum: 201444 201513. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW1302A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 230V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MJW3281AG
27 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
230V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
Komplementärer bipolarer Leistungstransistor
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
25A
Kosten)
2.8pF
Maximaler hFE-Gewinn
200
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
50
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Produktionsdatum
201444 201513
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJW1302A
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Technologie
Bipolarer Leistungstransistor
Transistortyp
NPN
VCBO
230V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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