Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUW12A

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BUW12A. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8:1. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 7V. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 15A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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