NPN-Transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT12AF
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.40€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.18€ |
| 10 - 18 | 3.40€ | 4.05€ |
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| 1 - 4 | 3.70€ | 4.40€ |
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NPN-Transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT12AF. NPN-Transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Originalprodukt vom Hersteller Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 00:25.
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NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 50. Kosten): 156pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 18. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 1200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V
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