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NPN-Transistor BUT11AF, TO-220FP, 850V, 5A, TO-220F, 450V
Menge
Stückpreis
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0.93€
5-49
0.73€
50-99
0.66€
100+
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NPN-Transistor BUT11AF, TO-220FP, 850V, 5A, TO-220F, 450V. Gehäuse: TO-220FP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 850V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anwendungen: Umschalten. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: S-L. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 5A. Leistung: 20W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 1kV. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Originalprodukt vom Hersteller: Iec. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57
BUT11AF
20 Parameter
Gehäuse
TO-220FP
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
850V
Kollektorstrom
5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
450V
Anwendungen
Umschalten
Anzahl der Terminals
3
Funktion
S-L
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
5A
Leistung
20W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
1kV
Transistortyp
NPN
VCBO
1000V
Originalprodukt vom Hersteller
Iec
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