NPN-Transistor BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57