NPN-Transistor BUL45, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V

NPN-Transistor BUL45, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V

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NPN-Transistor BUL45, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Kosten): 50pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 14. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57

Technische Dokumentation (PDF)
BUL45
23 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO220AB CASE 221A-09
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
400V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
12 MHz
Funktion
SMPS S-L
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Kosten)
50pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Maximaler hFE-Gewinn
34
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
14
Pd (Verlustleistung, max)
75W
RoHS
ja
Spec info
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.15V
Transistortyp
NPN
VCBO
700V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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