NPN-Transistor MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 13 MHz. Frequenz: 13MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Gewinne hfe: 4...28. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Kollektorstrom Ic [A]: 5A. Konditionierung: tubus. Kosten): 2.5pF. Leistung: 75W. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27