Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 100V, 3A, TO-220 - BD241C

NPN-Transistor, 100V, 3A, TO-220 - BD241C
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NPN-Transistor, 100V, 3A, TO-220 - BD241C. NPN-Transistor, 100V, 3A, TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 40W. Max Frequenz: 3MHz. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 12:25.

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TIP32C

TIP32C

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Daten...
TIP32C
NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 160pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP31C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
TIP32C
NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 160pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP31C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
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BD241C-ST

BD241C-ST

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Daten...
BD241C-ST
NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 115V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
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