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NPN-Transistor BC516, TO-92, 0.4A, TO-92, 30 v
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NPN-Transistor BC516, TO-92, 0.4A, TO-92, 30 v. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Darlington-Transistor?: ja. Frequenz: 200MHz. Funktion: hFE 3000. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 1A. Konditionierung: Ammo Pack. Leistung: 0.625W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 30V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC517. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 16/10/2025, 11:06
BC516
23 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
0.4A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Darlington-Transistor?
ja
Frequenz
200MHz
Funktion
hFE 3000
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
1A
Konditionierung
Ammo Pack
Leistung
0.625W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
30V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC517
Transistortyp
PNP
VCBO
40V
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors
Mindestmenge
5