NPN-Transistor MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v

NPN-Transistor MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.20€
5-49
0.16€
50-99
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100-199
0.13€
200+
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NPN-Transistor MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 125 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 500mA. Leistungsdissipation: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 30V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:19

Technische Dokumentation (PDF)
MPSA64
26 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
0.5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
ja
FT
125 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
500mA
Leistungsdissipation
0.625W
Maximaler hFE-Gewinn
20000
Menge pro Karton
2
Minimaler hFE-Gewinn
5000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
30V
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Transistortyp
PNP
VCBO
30 v
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor