NPN-Transistor 2SD2499-PMC, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

NPN-Transistor 2SD2499-PMC, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.96€
5-9
2.68€
10-24
2.48€
25-49
2.31€
50+
2.08€
Gleichwertigkeit vorhanden
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NPN-Transistor 2SD2499-PMC, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 40 Ohms. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: ja. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 12A. Kosten): 95pF. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46

2SD2499-PMC
28 Parameter
Kollektorstrom
6A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-16E3A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
40 Ohms
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
ja
FT
2 MHz
Funktion
CTV-HA
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
12A
Kosten)
95pF
Maximaler hFE-Gewinn
25
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
Spec info
Rbe 40 Ohms
Sättigungsspannung VCE(sat)
5V
Technologie
„Triple Diffused MESA Type“
Tf(max)
0.6us
Tf(min)
0.3us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Pmc

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