NPN-Transistor 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 40 Ohms. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: ja. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 12A. Kosten): 95pF. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46