NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, EMT6. Gehäuse (laut Datenblatt): EMT6. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H9C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD SO6*. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H9C

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: INFI->PANAS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 120pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Unijunction-Transistor UJT, Hi-Beta, Lo-Sat. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX788. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX550. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX551. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorstrom: 300mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 240 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 35V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kosten): 30pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX753. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX790. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat)0,92V. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V