Fairchild HGTG40N60B3 N-IGBT Transistor 600V 40A TO-247

Technische Produktbeschreibung (HGTG40N60B3):

Germaniumdiode: nein. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gehäuse: TO-247. CE-Diode: nein. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N-P. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Funktion: Ic 70A bei 25°C, 40A bei 110°C, Icm 330A (gepulst). Td(off): 170 ns. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo: 600V. Td(on): 47 ns. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Gate-Emitter-Spannung VGE: 20V. Maximale Verlustleistung: 290W. Gate-Emitter-Schwellenspannung VGE(th) min.: 3V. Gate-Emitter-Schwellenspannung VGE(th) max.: 6V.