N-Kanal-Transistor VNP5N07, TO-220AB, 70V

N-Kanal-Transistor VNP5N07, TO-220AB, 70V

Menge
Stückpreis
1+
2.92€
Menge auf Lager: 628

N-Kanal-Transistor VNP5N07, TO-220AB, 70V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: VNP5N07-E. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +135°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 31W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42

Technische Dokumentation (PDF)
VNP5N07
15 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
70V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
250 ns
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
5A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 2.5A
Einschaltzeit ton [nsec.]
100 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3V
Herstellerkennzeichnung
VNP5N07-E
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+135°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
31W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics