N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A - VNB35N07E

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A - VNB35N07E. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB35N07-E. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.