N-Kanal-Transistor TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10U1B. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1350pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 30Ap. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K8A65D. Kosten): 135pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08